IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD35N10S3L26ATMA2 von Infineon und IPD70N10S312ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD35N10S3L26ATMA2 IPD70N10S312ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T Power-Transistor
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A 70 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab)
Pin-Anzahl 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Part Number — IPD70N10S312ATMA1
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance (Ciss) — 4355 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 65 nC @ 10 V
Operating Temperature (TJ) — -55 °C to +175 °C
Avalanche Tested — 100 % (per datasheet)
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern