IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD35N10S3L26ATMA2 por Infineon e IPD70N10S312ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD35N10S3L26ATMA2 IPD70N10S312ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T Power-Transistor
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A 70 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab)
Contagem de pinos 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Part Number — IPD70N10S312ATMA1
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance (Ciss) — 4355 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 65 nC @ 10 V
Operating Temperature (TJ) — -55 °C to +175 °C
Avalanche Tested — 100 % (per datasheet)
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant

Fichas técnicas e recursos

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