IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD35N10S3L26ATMA2 par Infineon et IPD70N10S312ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD35N10S3L26ATMA2 IPD70N10S312ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T Power-Transistor
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 35 A 70 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 24 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 71 W —
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab)
Nombre de broches 3 (Drain, Source, Gate + tab) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T) —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Part Number — IPD70N10S312ATMA1
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Pulsed Drain Current (IDM) — 180 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance (Ciss) — 4355 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 65 nC @ 10 V
Operating Temperature (TJ) — -55 °C to +175 °C
Avalanche Tested — 100 % (per datasheet)
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant

Fiches techniques et ressources

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