IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD50N10S3L16ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD50N10S3L16ATMA2 von Infineon und IPD50N10S3L16ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD50N10S3L16ATMA2 IPD50N10S3L16ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,96 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-T OptiMOS-T
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Maximum R_DS(on) at VGS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 100 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +175C
Gehäuse PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Delivery Form Tape and Reel (T&R) —
Part Number — IPD50N10S3L16ATMA1
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 200 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.5 V (typ)
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) — 100 W
Packaging — Tape & Reel

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