IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD50N10S3L16ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD50N10S3L16ATMA2 от Infineon и IPD50N10S3L16ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD50N10S3L16ATMA2 ✓ Активен
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon

IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD50N10S3L16ATMA2 IPD50N10S3L16ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,96 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-T OptiMOS-T
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Maximum R_DS(on) at VGS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 100 W —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +175C
Корпус PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Delivery Form Tape and Reel (T&R) —
Part Number — IPD50N10S3L16ATMA1
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 200 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.5 V (typ)
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) — 100 W
Packaging — Tape & Reel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену