IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD50N10S3L16ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPD50N10S3L16ATMA2 por Infineon y IPD50N10S3L16ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 ✓ ActivoInfineon
IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IPD50N10S3L16ATMA2 | IPD50N10S3L16ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,96 | $0,89 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-T | OptiMOS-T |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Maximum R_DS(on) at VGS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | 100 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 °C to +175 °C (junction) | -55C to +175C |
| Encapsulado | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Recuento de pines | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Delivery Form | Tape and Reel (T&R) | — |
| Part Number | — | IPD50N10S3L16ATMA1 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 200 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 15 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.5 V (typ) |
| Power Dissipation (P_D, T_C=25C) | — | 100 W |
| Packaging | — | Tape & Reel |