IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD50N10S3L16ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD50N10S3L16ATMA2 por Infineon e IPD50N10S3L16ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD50N10S3L16ATMA2 IPD50N10S3L16ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,96 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-T OptiMOS-T
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Maximum R_DS(on) at VGS=10V 15 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C 100 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +175C
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Delivery Form Tape and Reel (T&R) —
Part Number — IPD50N10S3L16ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 200 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 15 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.5 V (typ)
Power Dissipation (P_D, T_C=25C) — 100 W
Packaging — Tape & Reel

Fichas técnicas e recursos

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