IPD65R225C7ATMA1 vs IPL65R230C7AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD65R225C7ATMA1 von Infineon und IPL65R230C7AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD65R225C7ATMA1 IPL65R230C7AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,34 $1,02
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Super-junction (SJ) / CoolMOS Superjunction (CoolMOS C7)
Drain-Source Voltage (VDSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 11 A —
Power Dissipation (PD) at TC 63 W —
On-Resistance RDS(on) max 225 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 (2 + tab) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 10 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 67 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 230 mOhm
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
ESD Protection — Yes (integrated, per datasheet)
Halogenfrei — Yes (per Infineon product page)

Datenblätter & Ressourcen

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