IPD65R225C7ATMA1 vs IPL65R230C7AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD65R225C7ATMA1 por Infineon y IPL65R230C7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD65R225C7ATMA1 IPL65R230C7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,34 $1,02
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Super-junction (SJ) / CoolMOS Superjunction (CoolMOS C7)
Drain-Source Voltage (VDSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 11 A —
Power Dissipation (PD) at TC 63 W —
On-Resistance RDS(on) max 225 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 (2 + tab) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 10 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 67 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 230 mOhm
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
ESD Protection — Yes (integrated, per datasheet)
Sin halógenos — Yes (per Infineon product page)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización