IPD65R225C7ATMA1 vs IPL65R230C7AUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD65R225C7ATMA1 제조: Infineon 및 IPL65R230C7AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD65R225C7ATMA1 IPL65R230C7AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.34 $1.02
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Super-junction (SJ) / CoolMOS Superjunction (CoolMOS C7)
Drain-Source Voltage (VDSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 11 A —
Power Dissipation (PD) at TC 63 W —
On-Resistance RDS(on) max 225 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
동작 온도 범위 -55°C to +150°C —
패키지 PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (2 + tab) —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 10 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 67 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 230 mOhm
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V]
동작 접합 온도 — -55 C to +150 C
ESD Protection — Yes (integrated, per datasheet)
할로겐 프리 — Yes (per Infineon product page)

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