IPD65R225C7ATMA1 vs IPL65R230C7AUMA1 比較

詳細な並列比較: IPD65R225C7ATMA1 メーカー: Infineon および IPL65R230C7AUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 - 650V 225mΩ 11A CoolMOS C7 N-FET | Infineon

IPD65R225C7ATMA1 ✓ 生産中
Infineon
IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 - 650V CoolMOS C7 MOSFET 230mOhm | Infineon

IPL65R230C7AUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD65R225C7ATMA1 IPL65R230C7AUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.34 $1.02
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Super-junction (SJ) / CoolMOS Superjunction (CoolMOS C7)
Drain-Source Voltage (VDSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 11 A —
Power Dissipation (PD) at TC 63 W —
On-Resistance RDS(on) max 225 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
動作温度範囲 -55°C to +150°C —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (2 + tab) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 10 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 67 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 230 mOhm
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V]
動作接合温度 — -55 C to +150 C
ESD Protection — Yes (integrated, per datasheet)
ハロゲンフリー — Yes (per Infineon product page)

データシート&リソース

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