IPD65R225C7ATMA1 vs IPL65R230C7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD65R225C7ATMA1 par Infineon et IPL65R230C7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD65R225C7ATMA1 IPL65R230C7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,34 $1,02
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS C7
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Super-junction (SJ) / CoolMOS Superjunction (CoolMOS C7)
Drain-Source Voltage (VDSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 11 A —
Power Dissipation (PD) at TC 63 W —
On-Resistance RDS(on) max 225 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + tab) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 10 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 67 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 230 mOhm
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V]
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
ESD Protection — Yes (integrated, per datasheet)
Sans halogène — Yes (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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