IPL65R230C7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPL65R230C7AUMA1 von Infineon und IPL60R105P7AUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPL65R230C7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,02 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS P7
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A 33 A
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
Gehäuse PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes (per Infineon product page) Yes
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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