IPL65R230C7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPL65R230C7AUMA1 por Infineon y IPL60R105P7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPL65R230C7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,02 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS P7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A 33 A
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes (per Infineon product page) Yes
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes

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