IPL65R230C7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL65R230C7AUMA1 par Infineon et IPL60R105P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL65R230C7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,02 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS P7
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A 33 A
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes (per Infineon product page) Yes
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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