IPL65R230C7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPL65R230C7AUMA1 제조: Infineon 및 IPL60R105P7AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPL65R230C7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.02 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS P7
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS C7) Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 10 A 33 A
Power Dissipation (PD) at Tc 67 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 230 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] —
동작 접합 온도 -55 C to +150 C —
패키지 PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated, per datasheet) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes (per Infineon product page) Yes
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
On-Resistance (RDS(on)) max — 105 mΩ
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc — 137 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.5 V
Gate Charge (Qg) typ — 45 nC
동작 온도 범위 — -55C to +150C
Channel Type — N-Channel
Lead-Free — Yes

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청