IPP037N08N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPP037N08N3GXKSA1 von Infineon und IPP075N15N3GXKSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPP037N08N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,32 $1,92
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.75 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 6 V, 10 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 214 W —
Gehäuse PG-TO220-3 (Through Hole) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Montageart Through Hole Through Hole
Pin-Anzahl 3 —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C (junction) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
RoHS-Status Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

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