IPP037N08N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPP037N08N3GXKSA1 por Infineon y IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPP037N08N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,32 $1,92
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.75 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 6 V, 10 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 214 W —
Encapsulado PG-TO220-3 (Through Hole) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Recuento de pines 3 —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (junction) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

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