IPP037N08N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP037N08N3GXKSA1 por Infineon e IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP037N08N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,32 $1,92
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.75 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 6 V, 10 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 214 W —
Encapsulamento PG-TO220-3 (Through Hole) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Contagem de pinos 3 —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (junction) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

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