IPP037N08N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP037N08N3GXKSA1 par Infineon et IPP075N15N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP037N08N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,32 $1,92
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.75 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 6 V, 10 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 214 W —
Boîtier PG-TO220-3 (Through Hole) PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Nombre de broches 3 —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (junction) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Fiches techniques et ressources

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