IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFB4020PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPP069N20NM6AKSA1 von Infineon und IRFB4020PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPP069N20NM6AKSA1 IRFB4020PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,10 $1,38
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) TO-220AB (through-hole)
Montageart Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL-Level N/A (through-hole package) —
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — 175 C (max)
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

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