IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFB4020PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP069N20NM6AKSA1 par Infineon et IRFB4020PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP069N20NM6AKSA1 IRFB4020PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,10 $1,38
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Niveau MSL N/A (through-hole package) —
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Température de jonction en fonctionnement — 175 C (max)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

Fiches techniques et ressources

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