IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFB4020PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPP069N20NM6AKSA1 por Infineon y IRFB4020PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPP069N20NM6AKSA1 IRFB4020PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,10 $1,38
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nivel MSL N/A (through-hole package) —
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Temperatura de unión de funcionamiento — 175 C (max)
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

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