IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFB4020PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP069N20NM6AKSA1 por Infineon e IRFB4020PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP069N20NM6AKSA1 IRFB4020PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,10 $1,38
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET IR MOSFET (HEXFET)
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL N/A (through-hole package) —
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Temperatura de junção de operação — 175 C (max)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

Fichas técnicas e recursos

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