IPP600N25N3GXKSA1 vs IRF640NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPP600N25N3GXKSA1 von Infineon und IRF640NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPP600N25N3GXKSA1 IRF640NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gehäuse / Bauform TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Montageart Through Hole Through Hole
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] 44.7 nC
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Transistortyp — N-Channel Enhancement Mode
Gehäuse — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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