IPP600N25N3GXKSA1 vs IRF640NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP600N25N3GXKSA1 par Infineon et IRF640NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP600N25N3GXKSA1 IRF640NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Boîtier / Format TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] 44.7 nC
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Type de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Boîtier — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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