IPP600N25N3GXKSA1 vs IRF640NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPP600N25N3GXKSA1 от Infineon и IRF640NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 - 250V 25A 60mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

IPP600N25N3GXKSA1 - 250V 25A 60mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

IPP600N25N3GXKSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPP600N25N3GXKSA1 IRF640NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,62 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Корпус / Типоразмер TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (junction) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] 44.7 nC
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Рабочая температура перехода — -55C to +150C
Тип транзистора — N-Channel Enhancement Mode
Корпус — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену