IPP600N25N3GXKSA1 vs IRF640NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP600N25N3GXKSA1 por Infineon e IRF640NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP600N25N3GXKSA1 IRF640NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Encapsulamento / Caixa TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] 44.7 nC
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Encapsulamento — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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