IPT015N10NF2SATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT015N10NF2SATMA1 von Infineon und IPP100N12S305AKSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT015N10NF2SATMA1 IPP100N12S305AKSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,10 $2,05
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) TO-220 (PG-TO220-3-1)
Montageart Surface Mount Through Hole
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS trench
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Einzelpuls-Avalanche-Energie [DATA_NEEDED: EAS value] —
RoHS-Status Compliant —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Gepulster Drain-Strom — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Pin-Anzahl — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

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