IPT015N10NF2SATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT015N10NF2SATMA1 por Infineon e IPP100N12S305AKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT015N10NF2SATMA1 IPP100N12S305AKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $2,05
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) TO-220 (PG-TO220-3-1)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS trench
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Energia de avalanche de pulso único [DATA_NEEDED: EAS value] —
Status RoHS Compliant —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Corrente de dreno pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Contagem de pinos — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

Fichas técnicas e recursos

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