IPT015N10NF2SATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT015N10NF2SATMA1 por Infineon y IPP100N12S305AKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT015N10NF2SATMA1 IPP100N12S305AKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,10 $2,05
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) TO-220 (PG-TO220-3-1)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS trench
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Energía de avalancha de pulso único [DATA_NEEDED: EAS value] —
Estado RoHS Compliant —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Corriente de drenador pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Recuento de pines — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

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