IPT015N10NF2SATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon et IPP100N12S305AKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT015N10NF2SATMA1 IPP100N12S305AKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $2,05
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) TO-220 (PG-TO220-3-1)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS trench
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Énergie d'avalanche à impulsion unique [DATA_NEEDED: EAS value] —
Statut RoHS Compliant —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Courant de drain pulsé — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Nombre de broches — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

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