IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT015N10NF2SATMA1 von Infineon und IPT008N06NM5LFATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT015N10NF2SATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,10 $5,40
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A 454 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Gehäuse PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Einzelpuls-Avalanche-Energie [DATA_NEEDED: EAS value] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Gepulster Drain-Strom — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

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