IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT015N10NF2SATMA1 por Infineon e IPT008N06NM5LFATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT015N10NF2SATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $5,40
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A 454 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Encapsulamento PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Energia de avalanche de pulso único [DATA_NEEDED: EAS value] —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Corrente de dreno pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

Fichas técnicas e recursos

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