IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon et IPT008N06NM5LFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT015N10NF2SATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $5,40
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A 454 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Boîtier PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Énergie d'avalanche à impulsion unique [DATA_NEEDED: EAS value] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Courant de drain pulsé — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

Fiches techniques et ressources

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