IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT015N10NF2SATMA1 por Infineon y IPT008N06NM5LFATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT015N10NF2SATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,10 $5,40
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A 454 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C (TJ)
Encapsulado PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Energía de avalancha de pulso único [DATA_NEEDED: EAS value] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Corriente de drenador pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

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