IPT017N12NM6ATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT017N12NM6ATMA1 von Infineon und ISZ019N03L5SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT017N12NM6ATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,85 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Gehäuse PG-HSOF-8 (TOLL) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +175C —
Pin-Anzahl 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
RoHS-Status Compliant —
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typical)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (TJ max)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

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