IPT017N12NM6ATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 比較

詳細な並列比較: IPT017N12NM6ATMA1 メーカー: Infineon および ISZ019N03L5SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPT017N12NM6ATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.85 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
パッケージ PG-HSOF-8 (TOLL) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +175C —
ピン数 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
RoHS ステータス Compliant —
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typical)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
動作温度範囲 — -55C to +175C (TJ max)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

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