IPT017N12NM6ATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPT017N12NM6ATMA1 제조: Infineon 및 ISZ019N03L5SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPT017N12NM6ATMA1 | ISZ019N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $0.48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| 패키지 | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55C to +175C | — |
| 핀 수 | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 (<= 40V) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 1.9 mΩ (typical, ID=20A) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typical) |
| Gate-Source Voltage Rating (VGS) | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44 nC at VGS=10V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2800 pF at VDS=15V |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +175C (TJ max) |
| MSL 레벨 | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| RG-tested | — | 100% |