IPT017N12NM6ATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon et ISZ019N03L5SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT017N12NM6ATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Boîtier PG-HSOF-8 (TOLL) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C —
Nombre de broches 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
Statut RoHS Compliant —
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typical)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (TJ max)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

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