IPT017N12NM6ATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon y ISZ019N03L5SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT017N12NM6ATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,85 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Encapsulado PG-HSOF-8 (TOLL) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Recuento de pines 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
Estado RoHS Compliant —
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typical)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (TJ max)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

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