IPT017N12NM6ATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon e ISZ019N03L5SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT017N12NM6ATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Encapsulamento PG-HSOF-8 (TOLL) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +175C —
Contagem de pinos 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
Status RoHS Compliant —
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typical)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (TJ max)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Fichas técnicas e recursos

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