IPT039N15N5ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT039N15N5ATMA1 von Infineon und BSC019N04LSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT039N15N5ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,42 $1,21
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 190 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4.6 V 1.7 V
Power Dissipation at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation at TC=25C 319 W —
Gehäuse PG-HSOF-8 (TOLL) Surface Mount TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 (8 + exposed tab) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
RoHS-Status Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern