IPT039N15N5ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT039N15N5ATMA1 par Infineon et BSC019N04LSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT039N15N5ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,42 $1,21
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 190 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4.6 V 1.7 V
Power Dissipation at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation at TC=25C 319 W —
Boîtier PG-HSOF-8 (TOLL) Surface Mount TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 (8 + exposed tab) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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