IPT039N15N5ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 比較

詳細な並列比較: IPT039N15N5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC019N04LSTATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPT039N15N5ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 190 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4.6 V 1.7 V
Power Dissipation at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation at TC=25C 319 W —
パッケージ PG-HSOF-8 (TOLL) Surface Mount TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
動作温度範囲 -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 (8 + exposed tab) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

データシート&リソース

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