IPT039N15N5ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT039N15N5ATMA1 por Infineon y BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT039N15N5ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,42 $1,21
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 190 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4.6 V 1.7 V
Power Dissipation at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation at TC=25C 319 W —
Encapsulado PG-HSOF-8 (TOLL) Surface Mount TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 8 (8 + exposed tab) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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