IPT039N15N5ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT039N15N5ATMA1 por Infineon e BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT039N15N5ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,42 $1,21
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 190 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4.6 V 1.7 V
Power Dissipation at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation at TC=25C 319 W —
Encapsulamento PG-HSOF-8 (TOLL) Surface Mount TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 (8 + exposed tab) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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