IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 von Infineon und IAUCN08S7L024ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,42 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
Betriebstemperaturbereich -55 degrees C to +175 degrees C -55C to +175C (Tj)
Gehäuse PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET
RoHS-Status Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 177 A (Tj)
Continuous Drain Current (Silicon-limited) — 150 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.4 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 148 W (Tc)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL-Level — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

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