IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 par Infineon et IAUCN08S7L024ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,42 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
Plage de température de fonctionnement -55 degrees C to +175 degrees C -55C to +175C (Tj)
Boîtier PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET
Statut RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 177 A (Tj)
Continuous Drain Current (Silicon-limited) — 150 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.4 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 148 W (Tc)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Niveau MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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