IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 por Infineon e IAUCN08S7L024ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,42 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
Faixa de temperatura de operação -55 degrees C to +175 degrees C -55C to +175C (Tj)
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET
Status RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 177 A (Tj)
Continuous Drain Current (Silicon-limited) — 150 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.4 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 148 W (Tc)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Nível MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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